Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів
1

The Electronic Structure of the Cs/n-GaN(0001) Nano-Interface

Benemanskaya, G. V., Lapushkin, M. N., Marchenko, D. E., Timoshnev, S. N.
Журнал:
Technical Physics Letters
Рік:
2018
Мова:
english
Файл:
PDF, 393 KB
english, 2018
3

A cryostat for electron irradiation of crystals and for optical studies

B.V. Novikov, G.V. Benemanskaya, A.E. Cherednichenko
Журнал:
Cryogenics
Рік:
1976
Мова:
english
Файл:
PDF, 190 KB
english, 1976
4

Auger recombination in P-type GaSb

A.N. Titkov, G.V. Benemanskaya, B.L. Gelmont, G.N. Iluridthe, Z.N. Sokolova
Журнал:
Journal of Luminescence
Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 306 KB
english, 1981
5

Electronic surface states of submonolayer Cs and Ba films on (100), (110), (111) W

G.V. Benemanskaya, O.P. Burmistrova, M.N. Lapushkin
Журнал:
Physics Letters A
Рік:
1989
Мова:
english
Файл:
PDF, 326 KB
english, 1989
7

Charge accumulation in ultrathin Cs / n - GaN and Cs / n - InGaN interfaces

Galina V. Benemanskaya, Sergey V. Ivanov, Mikhail N. Lapushkin
Журнал:
Solid State Communications
Рік:
2007
Мова:
english
Файл:
PDF, 495 KB
english, 2007
9

Electronic properties of the Cs covered GaAs(100) Ga-rich surface

G.V Benemanskaya, D.V Daineka, G.E Frank-Kamenetskaya
Журнал:
Solid State Communications
Рік:
2000
Мова:
english
Файл:
PDF, 126 KB
english, 2000
12

The nature of the vectorial photoelectric effect in the threshold energy region

G. V. Benemanskaya, M. N. Lapushkin, Yu. N. Gnedin, G. W. Fraser
Журнал:
Il Nuovo Cimento D
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 602 KB
english, 1994
14

Electronic structure and adsorption properties of the system Cs/O/W(110)

A. N. Andronov, D. V. Daineka, G. V. Benemanskaya, G. É. Frank-Kamenetskaya
Журнал:
Physics of the Solid State
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 70 KB
english, 1997
17

Excitation of 2D plasmons in a Cs/W(110) system

G. V. Benemanskaya, K. E. Rovinskii, G. É. Frank-Kamenetskaya
Журнал:
JETP Letters
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 47 KB
english, 2001
21

Charge accumulation layer on then-GaN (0001) surface with ultrathin Ba coatings

G. V. Benemanskaya, G. É. Frank-Kamenetskaya
Журнал:
JETP Letters
Рік:
2005
Мова:
english
Файл:
PDF, 50 KB
english, 2005
23

Electronic structure of ultrathin Cs coatings on a Si(100)2×1 surface

G. V. Benemanskaya, D. V. Daineka, F. É. Frank-Kamenetskaya
Журнал:
JETP Letters
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 65 KB
english, 1997
24

Destruction and appearance of surface metallization in the system K/Si(111) 7×37

G. V. Benemanskaya, D. V. Daineka, G. É. Frank-Kamenetskaya
Журнал:
JETP Letters
Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 63 KB
english, 1997
25

Self-organization of nanostructures on then-GaN(0001) surface in the Cs and Ba adsorption

G. V. Benemanskaya, V. S. Vikhnin, S. N. Timoshnev
Журнал:
JETP Letters
Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 231 KB
english, 2008
34

Near-Fermi level surface states induced by Cs adsorption on the Si(111)7 × 7 surface

G.V. Benemanskaya, G.E. Frank-Kamenetskaya, M.N. Lapushkin
Журнал:
Surface Science
Рік:
1995
Мова:
english
Файл:
PDF, 377 KB
english, 1995
35

Near-threshold enhancement in photoemission from alkali metal overlayers

A Liebsch, G.V Benemanskaya, M.N Lapushkin
Журнал:
Surface Science
Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 890 KB
english, 1994
36

Photoemission from InAs/GaAs quantum dots decorated with cesium adatoms

G. V. Benemanskaya, M. N. Lapushkin, V. P. Evtikhiev, A. S. Shkol’nik
Журнал:
JETP Letters
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 281 KB
english, 2012
42

Synchrotron radiation photoemission study of the ultrathin Cs/InN interface

Benemanskaya, G.V., Lapushkin, M.N., Timoshnev, S.N., Nelubov, A.V.
Журнал:
Solid State Communications
Рік:
2015
Мова:
english
Файл:
PDF, 436 KB
english, 2015
46

Polaron-related states in the photoluminescence of gallium nitride crystal

Vikhnin, V S, Benemanskaya, G V, Shmidt, N M, Sacharov, A V
Журнал:
Journal of Physics Conference Series
Рік:
2005
Мова:
english
Файл:
PDF, 148 KB
english, 2005